正極材料包覆 參考價:面議
正極材料包覆(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有...粉末原子層沉積設(shè)備 參考價:面議
粉體包覆(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限...雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價:面議
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技...PALD廠家 參考價:面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)PALD廠家(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉...粉末ALD廠家 參考價:面議
粉末ALD廠家(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具...雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價:面議
雙腔室高真空等離子體ALD設(shè)備是對ALD技術(shù)的擴展,通過等離子體的引入,產(chǎn)生大量活性自由基,增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性,從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用...ALD 參考價:面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的...原子層沉積設(shè)備廠家 參考價:面議
原子層沉積設(shè)備廠家(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...原子層沉積系統(tǒng)廠家 參考價:面議
原子層沉積系統(tǒng)廠家(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...桌面式原子層沉積系統(tǒng) 參考價:面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的...粉末原子層沉積 參考價:面議
粉末原子層沉積(Atomic layer deposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具...等離子體原子層沉積 參考價:面議
雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù),具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要...